Общие характеристики | |
---|---|
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM 240-контактный |
Тактовая частота | 1600 МГц |
Пропускная способность | 12800 Мб/с |
Объем | 2 модуля по 2 Гб |
Поддержка ECC | нет |
Буферизованная (Registered) | нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | нет |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 9 |
Row Precharge Delay (tRP) | 9 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 24 |
Дополнительно | |
Напряжение питания | 1.5 В |
Радиатор | есть |
1800 минимум 1,58v 10-11-10-27
2133 минимум 1.65v 11-12-11-30