Отзывы G.SKILL F3-2666C11D-8GTXD

Отзывы G.SKILL F3-2666C11D-8GTXD

  • 2 модуля памяти DDR3
  • объем модуля 4 Гб
  • форм-фактор DIMM, 240-контактный
  • частота 2666 МГц
  • радиатор
  • CAS Latency (CL): 11
Отзыв о товаре:
G.SKILL F3-2666C11D-8GTXD
Ваша оценка

4Отзывов 1
0
1
0
0
0
C любой оценкой
  • C любой оценкой
  • Отзывы с оценкой 4
Достоинства:
Требует минимальнейшего поднятия напряжения аналоговой части процессора: 2933 Мгц Offset =0.1В U core =1.15В.
Пришлось на одной планке открутить гребешок чтобы влезла из - за скоб держащих вентилятор на куллере IH-4800
Недостатки:
Цена в 1.5 раза дороже аналогов.2. Маленькие возможности для разгона. 3. Абсолютно не нужная по первой причине панель с вентиляторами
Комментарий:
По красивым зарубежным обзорам должна была заработать на 2800 Мгц 11-14-13-36 @1.66В...... Увы.. тесты даже на 1.72В не прошла, а загрузка системы на 2800 Мгц шла только на 12-13-13-36 (зато на 1.6В), и на удивление - на 2933 Мгц 12-14-14-36@1.64В.
Цифры с виду красивые, вот только после прогона PC MARK 7 получилось, что 2400 Мгц 10-11-10 -28 и 2933Мгц 12-14-13-38 - максимум что можно выжать без опасных напряжений, так как режимы 2666МГц 10-13-13-36 и 2800МГц 11-14-14-38 даже этот тест не проходили, не говоря о LinPack.
Почему в таком пренебрежительном тоне?
Потому что предыдущая память Patriot PXD38G1600LLK (скорее всего на более ранних Hunix чипах) при 2 годах работы в номинале 1600 Мгц 8-9-8-24 ещё около 2 лет работала 1960 Мгц 9-10-9-28 (на Sandy) и проходила все тесты на 2250 10-11-10-32 @1.68, и то потому что один из модулей пропадал при меньшем напряжении. А при переходе на Hasswell ряд тестов PC MARK 7 на Samsung Evo 256Гб с Rapid mode прошла быстрее чем нынешняя : Video transcoding downscaling в 17693kbps против 11517kbps (G. Skill 2933 Мгц)
Наверняка это связанно с кэшированием Samsung Evo 256Гб, но на частоте 2400 Мгц starting application: 120Mb/s на 2400Мгц против 61 Mb/s на 2933 Мгц
В обычном же режиме в большинстве тестов без Rapid mode преимущество или потери от большей частоты, но на 0 - 3%. (I5 4690K @4.2 ГГц Asrock extreme 3 Samsung Evo 256Гб с Rapid mode)
Оставил режим 2933 12-14-13-38 @1.65В
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Отправить

Общие характеристики

Тип памяти
DDR3 
Форм-фактор
DIMM 240-контактный 
Тактовая частота
2666 МГц 
Пропускная способность
21300 Мб/с 
Объем
2 модуля по 4 Гб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Тайминги

CAS Latency (CL)
11 
RAS to CAS Delay (tRCD)
13 
Row Precharge Delay (tRP)
13 
Activate to Precharge Delay (tRAS)
35 

Дополнительно

Напряжение питания
1.65 В 
Радиатор
есть 
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца