Подробные характеристики
Общие характеристики
- Тип памяти
- DDR4
- Форм-фактор
- DIMM 288-контактный
- Тактовая частота
- 3000 МГц
- Пропускная способность
- 24000 Мб/с
- Объем
- 4 модуля по 8 Гб
- Поддержка ECC
- нет
- Поддержка XMP
- есть
- Буферизованная (Registered)
- нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- нет
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 14
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 14
- Row Precharge Delay (tRP)
- 14
- Activate to Precharge Delay (tRAS)
- 34
Дополнительно
- Напряжение питания
- 1.35 В
- Радиатор
- есть
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца
2. Скорость. С штатных 3000мгц и 14х таймингов удалось поднять частоту до 3600мгц с 16ми. Спасибо чипам Samsung B-Die и кастомной многослойной плате. Для 4 плашек это неплохой результат. Можно попробывать поднять еще выше или ужать тайминги до 15х, но это уже будет требовать повышение вольтажа озу выше 1,35в и вольтажа контроллера память VCCIO и VCCSA, что приводит к значительному нагреву и памяти и процессора.
3. Имеется термодатчик на каждой плашке, можно отслеживать температуру. У меня 30С-38С в простое/в нагрузке, но это с прямым ее обдувом 120мм. Без обдува будет 40-42С под нагрузкой. На OEM Samsung B-Die плашках даже при небольшом разгоне они легко улетают за 50С и начинают вести себя очень капризно - выдавать ошибки, приложения начинают падать и т.д. В общем, радиаторы тут не для красоты стоят.
4. Симпатичный внешний вид без RGB-подсветки, которую сейчас куда только не пихают.