Отзывы GoodRAM GR1333S364L9S/4G

Отзывы GoodRAM GR1333S364L9S/4G

  • 1 модуль памяти DDR3
  • объем модуля 4 Гб
  • форм-фактор SODIMM, 204-контактный
  • частота 1333 МГц
  • CAS Latency (CL): 9
Отзыв о товаре:
GoodRAM GR1333S364L9S/4G
Ваша оценка

3Отзывов 2
1
0
0
0
1
C любой оценкой
  • C любой оценкой
  • Отзывы с оценкой 5
  • Отзывы с оценкой 1
Комментарий:
скорее всего, отсутствует поддержка контроллерами памяти мобильных процессоров линейки Р6000, и вчастности морально устаревших Legacy Intel Pentium Processor на ядре Arrandale, у которых отсутствует совместимость с планками с организацией модулей 512Мх8, им подавай чипы с глубиной адрессации 2 GB- 128×8, 4 GB - 256×8
//www.goodram.com/ru/product/ram-ru/goodram-ddr3-so-dimm/
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Достоинства:
ничего
Недостатки:
не работает
Комментарий:
Купил вместо стоявшей 2 Гб планки, две по 4 Гб GoodRAM. В результате ноутбук не включается. Пробовал ставить и по одной, и вместе со старой в разных комбинациях - не работает. Работает только со старой памятью. Ноутбук Lenovo g550 модель 20023. Покупал в одном известном инет-магазине, но там мой отзыв потерли.
Комментировать
Отзыв был полезен? 2
Отправить

Подробные характеристики

Общие характеристики

Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
SODIMM 204-контактный
Тактовая частота
1333 МГц
Пропускная способность
10600 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
9

Дополнительно

Напряжение питания
1.5 В
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца