Отзывы Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb

Отзывы Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb

Отзывы (5) | Видео обзоры (2)

  • 1 модуль памяти DDR3
  • объем модуля 4 Гб
  • форм-фактор SODIMM, 204-контактный
  • частота 1600 МГц
  • CAS Latency (CL): 11
Отзыв о товаре:
Samsung DDR3 1600 SO-DIMM 4Gb
Ваша оценка

3.4Отзывов 5
3
0
0
0
2
Оставить отзыв
C любой оценкой
  • C любой оценкой
  • Отзывы с оценкой 5
  • Отзывы с оценкой 1
Достоинства:
Оригинальная от производителя
Недостатки:
Нет
Комментарий:
Оригинальная от производителя, один в один с родной 4Gb, только чуть тайминги другие, но разницы нет. Брал для модели Samsung np370r5e, на замену второй планки в 2Gb. Все работает, все отлично.
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Достоинства:
Так и не обнаружил (
Недостатки:
Не прижилась
Комментарий:
Не прижилась на MSI GT60
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Недостатки:
Просто не заработал
Комментарий:
Хотел увеличить память компа IdeaCentre Q150.
Так он с этим модулем памяти даже загружаться не захотел.
Теперь валяется на столе. Может нужен кому?)
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Достоинства:
Работает
Недостатки:
Пока не нашел
Комментарий:
В ноуте Asus S46CB стояла память M471B5273CH0-CK000. Докупил вторую такую же. Заработала. Проблем пока нет. Если вопрос, работает ли она в данной модели бука, да работает. Два канала. Рекомендую.
Комментировать
Отзыв был полезен? 3
Достоинства:
Надежность, качество и поверьте память этой фирмы стоит практически на всех уважаемых себя производителей техники
Идеально подходит для Macbook Pro 13
Недостатки:
не замечены на протяжение 7 лет т. к на все компьютеры ставил ОЗУ только этой фирмы
Комментарий:
Искал именно Samsung т. к такая же только меньшего объема стояла в моем маке, если ищите память для Mac - рекомендую!!!
Комментировать
Отзыв был полезен? 7
Отправить
Общие характеристики
Тип памятиDDR3
Форм-факторSODIMM 204-контактный
Тактовая частота1600 МГц
Пропускная способность12800 Мб/с
Объем1 модуль 4 Гб
Поддержка ECCнет
Буферизованная (Registered)нет
Низкопрофильная (Low Profile)нет
Тайминги
CAS Latency (CL)11
RAS to CAS Delay (tRCD)11
Row Precharge Delay (tRP)11
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля16, двусторонняя упаковка
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца*

Похожие товары