Отзывы Silicon Power SP002GBLTU133V02

Отзывы Silicon Power SP002GBLTU133V02

  • 1 модуль памяти DDR3
  • объем модуля 2 Гб
  • форм-фактор DIMM, 240-контактный
  • частота 1333 МГц
  • CAS Latency (CL): 9
Отзыв о товаре:
Silicon Power SP002GBLTU133V02
Ваша оценка

3Отзывов 1
0
0
1
0
0
C любой оценкой
  • C любой оценкой
  • Отзывы с оценкой 3
Достоинства:
Обычная память
Недостатки:
Несовместима с определенной конфигурацией компьютера (см. комментарий)
Комментарий:
Хорошо работала в в конфигурации Asus P5Q3 (чипсет Р45)+Intel Pentium E5700 Wolfdale+4 планки этой памяти. При замене процессора на Intel Core 2 Quad Q9650 Yorkfield система перестала запускаться.
Думал либо плата навернулась, либо процессор бракованный. Однако проверил эту память на 2-х платах Asus P5Q3 Deluxe с тем же процессором - и они так же не завелись. Чипсет у них такой же - Р45. К этой конфигурации подошли 4 планки памяти по 4 Gb Kingston KVR1333D3N9/4G. Встали слету.
Ради интереса проверил на плате с чипсетом Р35 (Asus p5K3 Deluxe). В конфигурации с этим же процессором Intel Core 2 Quad Q9650 Yorkfield работает без проблем. Выходит, что конфигурация чипсета Р45+Intel Core 2 Quad Q9650 Yorkfield+4 планки Silicon Power SP002GBLTU133V02 несовместима.
Рекомендации следующие: у кого платы на сокетах 775, обязательно надо перед покупкой проверить совместимость. Платы с сокетом 775 были сняты с производства на заре появления памяти DDR3 в 2008 г. Возможно, не все виды планок памяти, которые вышли позже, прописаны в их биосе.
Комментировать
Отзыв был полезен? 0
Отправить

Общие характеристики

Тип памяти
DDR3 
Форм-фактор
DIMM 240-контактный 
Тактовая частота
1333 МГц 
Пропускная способность
10600 Мб/с 
Объем
1 модуль 2 Гб 
Поддержка ECC
нет 
Буферизованная (Registered)
нет 
Низкопрофильная (Low Profile)
нет 

Тайминги

CAS Latency (CL)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Row Precharge Delay (tRP)

Дополнительно

Количество чипов каждого модуля
Напряжение питания
1.5 В 
Перед покупкой уточняйте технические характеристики и комплектацию у продавца